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AM2309E3SR

MOSFET 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION The AM2309 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = -20V RDS(ON), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =100mΩ RDS(ON), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Fully Characterized Avalanche Voltage and

AITSEMI

创瑞科技

MOSFET 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION The AM2309 is available in SOT-23S package. FEATURES  VDS = -20V RDS(ON), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =100mΩ RDS(ON), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150mΩ  Advanced trench process technology  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  Fully Characterized Avalanche Voltage and

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更新时间:2025-11-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ASAIR/奥松电子
25+
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
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