微处理器复位电路

AiP803/AiP809/AiP810系列产品是用于检测电源电压并提供复位信号的微控制器复位电路。电路提供上电检测和掉电检测功能。在上电过程中,当电源电压低于电路的检测电压时,复位端口保持复位有效状态；当电源电压高于电路的检测电压时,内部定时器将开始工作,延时240ms（典型值）后将复位端口状态改变为复位结束状态。AiP803提供低电平有效的复位信号（RESETN）,并且为NMOS开漏输出,需外接上拉电阻。AiP809提供低电平有效的复位信号（RESETN）,并且为推挽输出。AiP810提供高电平有效的复位信号（RESET）,并且为推挽输出。 • RESETN/RESET端口在VDD>1V时给出有效输出信号\n• 上电复位延时时间典型240ms\n• 低功耗\n• ESD-HBM：4000V\n• 封装形式：SOT23/SOT23-3;

双通道50MHz轨到轨运算放大器

AiP803X系列电路是一款轨到轨输入/输出运算放大器，其中AiP8031、AiP8032、AiP8034分别是不带关断控制管脚的单通道、双通道和四通道运放，AiP8033为带关断控制管脚的单通道运放，AiP8039为带关断控制管脚的双通道运放。该系列电路主要应用于滤波器、音频和视频处理、数据采集、测试设备等领域。 • 工作电源：2.5V～5.5V\n• 单位增益带宽：100MHz\n• 增益带宽积：50MHz\n• 转换速率：68V/us\n• 低失调电压：≤1mV\n• 低噪声：8nV/√Hz\n• 轨到轨输入/输出\n• 高输出短路电流：>50mA\n• 优秀的视频性能\n• 低输入偏置电流：3pA\n• 热关断\n• 封装形式：SOP8/MSOP8/TSSOP8;

带关断控制单通道50MHz轨到轨运算放大器

AiP803X系列电路是一款轨到轨输入/输出运算放大器，其中AiP8031、AiP8032、AiP8034分别是不带关断控制管脚的单通道、双通道和四通道运放，AiP8033为带关断控制管脚的单通道运放，AiP8039为带关断控制管脚的双通道运放。该系列电路主要应用于滤波器、音频和视频处理、数据采集、测试设备等领域。 • 工作电源：2.5V～5.5V\n• 单位增益带宽：100MHz\n• 增益带宽积：50MHz\n• 转换速率：68V/us\n• 低失调电压：≤1mV\n• 低噪声：8nV/√Hz\n• 轨到轨输入/输出\n• 高输出短路电流：>50mA\n• 优秀的视频性能\n• 低输入偏置电流：3pA\n• 热关断\n• 封装形式：SOT23-6/ SOT363/SOP8;

2 W, 806 to 905 MHz UHF POWER AMPLIFIERS

The RF Line UHF Power Amplifiers Capable of wide power range control as encountered in portable cellular radio applications (30 dB typical). • MHW803–2 806–870 MHz • Specified 7.5 Volt Characteristics RF Input Power = 1 mW (0 dBm) RF Output Power = 2 Watts Minimum Gain (VControl

DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY

These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to Limit Leakage − Multiplication • Choice of Packages − M

POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)

PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

µPA803T has built-in 2 transistors which were developed for UHF. FEATURES • High fT fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) • Small Collector Capacitance Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) • A Surface Mounting Package Adopted • Built-in 2 Transistors

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

µPA803T has built-in 2 transistors which were developed for UHF. FEATURES • High fT fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) • Small Collector Capacitance Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) • A Surface Mounting Package Adopted • Built-in 2 Transistors