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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 197A, RDS(ON) = 2 mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-220 & TO-263 package

CET

华瑞

Schottky Barrier Diode

FEATURES * TO-220AB Case * Fully Molded * Dual Diodes – Cathode Common * Low Forward Voltage Drop * High Surge Capability * Tj=150 °C operation

NIEC

SMD RELAYS WITH 8GHz CAPABILITIES

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NAIS

松下电器

SMD RELAYS WITH 8GHz CAPABILITIES

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NAIS

松下电器

SMD RELAYS WITH 8GHz CAPABILITIES

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NAIS

松下电器

更新时间:2025-12-27 10:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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