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AFGHL50T65SQDC_V01

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-12 14:32:00
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