具有内部基准电压和增强型 SPI 的 14 位、3.5MSPS、双路、同步采样 SAR ADC

ADS92x4R 是一款引脚兼容型高速双通道同步采样模数转换器 (ADC)，具有集成基准电压和基准电压缓冲器。该器件可由 5V 单电源供电运行，支持单极和全差分模拟输入信号，具有出色的直流和交流规格。该器件具有高达 1.5MHz 的模拟输入频率，交流性能出色，因此适合高带宽数据采集 (DAQ) 系统。\n\n该器件支持 SPI 兼容串行（增强型 SPI）和字节宽并行接口，因此易于与多种微控制器、数字信号处理器 (DSP) 和现场可编程门阵列 (FPGA) 搭配使用。此器件还支持数据平均功能，该功能可提升高噪声环境中的交流性能。\n\n该器件采用节省空间的 5mm × 5mm VQFN 封装。A • 高分辨率、高吞吐量： \n• ADS9224R：16 位、3MSPS、低延迟：333ns\n• ADS9234R：14 位、3.5MSPS、低延迟：285ns\n \n• 两个单极、完全差分同步采样通道\n• 出色的直流和交流性能： \n• ADS9224R： \n• 16 位 NMC DNL，±2LSB 最大 INL \n• 94dB SNR、–109dB THD\n• 1MHz 时为 88dB SINAD\n \n• ADS9234R： \n• 14 位 NMC DNL，±1LSB 最大 INL\n• 85.6dB SNR、–106dB THD\n• 1MHz 时为 84dB SINA;

Dual, Low-Latency, Simultaneous-Sampling SAR ADC

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Dual, Low-Latency, Simultaneous-Sampling SAR ADC

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封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC ADC 14BIT SAR 32VQFN 集成电路（IC） 模数转换器（ADC）

封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘 包装：管件 描述：IC ADC 14BIT SAR 32VQFN 集成电路（IC） 模数转换器（ADC）

Dual, Low-Latency, Simultaneous-Sampling SAR ADC

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Ultra Low-Power, Single/Dual-Supply Comparators

General Description The MAX921–MAX924 single, dual, and quad micropower, low-voltage comparators feature the lowest power consumption available. These comparators draw less than 4µA supply current over temperature (MAX921/MAX922), and include an internal 1.182V ±1 voltage reference, programmable

Integrated Circuit Precision Voltage Regulator

Description: The NTE923 and NTE923D are voltage regulators designed primarily for series regulator applications. By themselves, these devices will supply output currents up to 150mA; but, external transistors can be added to provide any desired load current. The circuits feature extremely low sta

Integrated Circuit Precision Voltage Regulator

Description: The NTE923 and NTE923D are voltage regulators designed primarily for series regulator applications. By themselves, these devices will supply output currents up to 150mA; but, external transistors can be added to provide any desired load current. The circuits feature extremely low sta

High Speed Photocoupler for MOS-FET / IGBT Drive

■ Features 1. Built-in direct drive circuit for MOS-FET/IGBT drive (IO1P, I O2P : 0.4A) 2. High speed response (tPLH , t PHL : MAX. 0.5 µ s) 3. Wide operating supply voltage range (Vcc : 15 to 30V, Ta = -10 to 60˚C) 4. High noise reduction type (CM H = MIN. - 1 500V/ µs) (C

T92-Type 10 Gbits/s 1300 nm Uncooled DFB Laser Transmitter

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