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ADS120J020C3

3 rd Generation 1200V /20A SiC Schottky Barrier Diode

AEC Q 101 qualified Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High speed switching performance Temperature independen t switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS com

SANAN

三安光电

ADS120J020C3

碳化硅二极管

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知名厂家

更新时间:2025-12-29 16:25:00
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