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ADS120J001B3

3 rd Generation 120 0 V/ 1 A SiC Schottky Barrier Diode

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High s peed switching performance Temperature independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS compliant

SANAN

三安光电

ADS120J001B3

碳化硅二极管

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更新时间:2026-1-1 15:16:00
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