微功耗、精密、通过汽车应用认证的2.5 V基准电压源

ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W和ADR3550W均为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有最大5 ppm/°C（B级）或8 ppm/°C（A级）的温度系数、低工作电流和低输出噪声特性，采用8引脚MSOP封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司的DigiTrim®专利技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移提高了系统在使用寿命期间的精度。\n\n 这些CMOS基准电压源提供5种输出电压，器件的额定温度范围均为−40°C至+125°C的汽车应用温度范围。 • 最大温度系数(TC)：5 ppm/ºC（B级）\n\n• 最大温度系数(TC)：8 ppm/ºC（A级）\n\n• 初始输出电压误差：±0.1%（最大值）\n\n• 工作温度范围：−40°C至+125°C\n\n• 输出电流：+10 mA源电流/−3 mA吸电流;

Micropower, High Accuracy

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Micropower, High Accuracy

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Micropower, High Accuracy

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封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC VREF SERIES 0.1% 8MSOP 集成电路（IC） 电压基准

Micropower, High Accuracy

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封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC VREF SERIES 0.1% 8MSOP 集成电路（IC） 电压基准

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P

Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)

Description: The NTE352 is a silicon NPN transistor in a W65 type package designed primarily for use in 12.5V VHF large–signal power amplifier applications required in commercial and industrial FM equipment to 175MHz. Features: ● Specified 12.5V, 175MHz Characteristics: Output Power = 75W

Square Type

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Square Type

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LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR

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