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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BLH3355

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier

Belling

上海贝岭

C3355

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

3355

Nylon Cable Clamps

文件：84.39 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

3355

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

文件：100.33 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

AN3355

Designing an application board compatible with either

文件：103.24 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

ADP-3355供应商更多...

更新时间：2025-12-17 11:25:01
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