| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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ADM35P06E | 丝印代码：ADM35P06E；P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Fast Switching ● Improved dv/dt Capability ● Green Device Available Description: These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. design to provide excellent RDS(ON) with low gate | ADV 爱德微 |   | |
ADM35P06E | MOSFET | ADV 爱德微 | | |
丝印代码：D35P06；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：441.52 Kbytes Page：5 Pages | KERSEMI | | ||
丝印代码：D35P06；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：656.94 Kbytes Page：5 Pages | HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADM35P06E规格书下载地址
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