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ADM100N065Q

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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爱德微

ADM100N065Q

MOSFET

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爱德微

更新时间:2025-12-15 20:00:00
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