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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
ADL8107

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

FEATURES ► Single positive supply (self biased) ► Gain: 24 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► OIP3: 29 dBm typical at 7 GHz to 16 GHz ► Noise figure: 1.3 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► 8-lead, 2 mm × 2 mm, LFCSP (see the Outline Dimensions section) APPLICATIONS ► Test instrumentation ► Mili

AD

亚德诺

ADL8107

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

文件：2.96399 Mbytes Page：24 Pages

AD

亚德诺

ADL8107_V01

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

FEATURES ► Single positive supply (self biased) ► Gain: 24 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► OIP3: 29 dBm typical at 7 GHz to 16 GHz ► Noise figure: 1.3 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► 8-lead, 2 mm × 2 mm, LFCSP (see the Outline Dimensions section) APPLICATIONS ► Test instrumentation ► Mili

AD

亚德诺

ADL8107ACPZN

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

FEATURES ► Single positive supply (self biased) ► Gain: 24 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► OIP3: 29 dBm typical at 7 GHz to 16 GHz ► Noise figure: 1.3 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► 8-lead, 2 mm × 2 mm, LFCSP (see the Outline Dimensions section) APPLICATIONS ► Test instrumentation ► Mili

AD

亚德诺

ADL8107ACPZN-R7

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

FEATURES ► Single positive supply (self biased) ► Gain: 24 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► OIP3: 29 dBm typical at 7 GHz to 16 GHz ► Noise figure: 1.3 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► 8-lead, 2 mm × 2 mm, LFCSP (see the Outline Dimensions section) APPLICATIONS ► Test instrumentation ► Mili

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亚德诺

ADL8107-EVALZ

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

FEATURES ► Single positive supply (self biased) ► Gain: 24 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► OIP3: 29 dBm typical at 7 GHz to 16 GHz ► Noise figure: 1.3 dB typical at 7 GHz to 16 GHz ► 8-lead, 2 mm × 2 mm, LFCSP (see the Outline Dimensions section) APPLICATIONS ► Test instrumentation ► Mili

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亚德诺

ADL8107ACPZN

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

文件：2.96399 Mbytes Page：24 Pages

AD

亚德诺

ADL8107ACPZN-R7

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

文件：2.96399 Mbytes Page：24 Pages

AD

亚德诺

ADL8107ACPZN-R7

封装/外壳：8-VFDFN 裸露焊盘，CSP 包装：托盘 描述：IC RF AMP RADAR 6-18GHZ 8LFCSP RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

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亚德诺

ADL8107-EVALZ

GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 6 GHz to 18 GHz

文件：2.96399 Mbytes Page：24 Pages

AD

亚德诺

ADL8107XCPZN

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：ADL8107 X-GRADE RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

AD

亚德诺

8107

RS-232/422 Low Cap, #24-7pr, FPO, O/A FoilBraid, PVC Jkt, CM, 100Ω

Product Description Computer EIA RS-232/422 Cable, 24 AWG stranded (7x32) tinned copper conductors, Datalene® insulation, twisted pairs, overall Beldfoil® (100 coverage) + tinned copper braid shield (65 coverage), 24 AWG stranded tinned copper drain wire, PVC jacket.

BELDEN

百通

8107

24 AWG stranded (7x32) TC conductors, Datalene짰 insulation, twisted pairs, overall Beldfoil

文件：30.81 Kbytes Page：3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

8107

Low Capacitance for EIA RS-232 and EIA RS-422 Applications

文件：365.47 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

8107-RC

Common Mode Inductors (with Optional Header) Dielectric strength: 1500 Vrms

文件：103.77 Kbytes Page：1 Pages

Bourns

伯恩斯

AAT8107

20V P-Channel Power MOSFET

文件：112.81 Kbytes Page：6 Pages

ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies

研诺科技香港研诺逻辑科技有限公司

ADL8107供应商更多...

更新时间：2025-8-15 10:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
博速半导体（深圳）有限公司
ADL8111ACCZN
ADI/亚德诺
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    ADM1014是一个双PCI电压总线控制器，允许适配卡的热插拔主动或被动的流入和流出背板。该装置只需要4个外部电源一个完整的MOSFET和几个分立元件两个PCI插槽的电源控制解决方案。ADM1014经营从+12 V和+3.3 V辅助电源和控制五个独立的用品，（3.3伏，3.3 VAUX+5 V，+12 V和- 12V）两个独立的通道（A和B）。+3.3 VAUX，12 V和- 12V电源开关供应集成到芯片上，内部电流限制提供。对于+3.3 V和+5 V电源，设备驱动外部N沟道功率MOSFET，通过感应的电压降提供过流保护在外部电流检测电阻。所有10个电源电流限制是由单个电阻设置至GND，连接到

    2013-1-7

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