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AD8351_V01

Low Distortion Differential RF/IF Amplifier

FEATURES −3 dB bandwidth of 2.2 GHz for AV = 12 dB Single resistor programmable gain: 0 dB ≤ AV ≤ 26 dB Differential interface Low noise input stage 2.7 nV/√Hz at AV = 10 dB Low harmonic distortion −79 dBc second at 70 MHz −81 dBc third at 70 MHz OIP3 of 31 dBm at 70 MHz Single-supply operation:

AD

亚德诺

ESD Protection Diodes Low Capacitance ESD Protection Diode for High Speed Data Line

The ESD8351 Series ESD protection diodes are designed to protect high speed data lines from ESD. Ultra−low capacitance and low ESD clamping voltage make this device an ideal solution for protecting voltage sensitive high speed data lines. Features • Low Capacitance (0.55 pF Max, I/O to GND)

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-9-21 15:40:00
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    属性 参数值 商品目录 RF 放大器 频率范围 0Hz ~ 2.2GHz 电源电流 28mA RF 类型 通用 工作电压 3V ~ 5.5V IP1dB 13.5dBm 增益 26dB 测试频率 10MHz

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