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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8.7mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

High voltage silicon rectifier diodes

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GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

High speed switching

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MILITARY QUALITY REMOVABLE CONTACT, SUBMINIATURE-D CONNECTORS

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Power MOSFET

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SHINDENGEN

更新时间:2025-12-16 11:33:01
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