2.5 A Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler in 15 mm Stretched SO8 Package

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2.5 A Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler in 15 mm Stretched SO8 Package

采用扩展型 SO8 封装（14.2 毫米）的 2.5 安输出电流 IGBT 门驱动光电耦合器

Broadcom ACNT-H313 是一款高效的 2.5 安门驱动光电耦合器装置，具有 14.2 毫米宽爬电距离和电气间隙。该装置可完美适用于电机控制变频器应用中使用的驱动功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控装置所需的驱动电压。该款光电耦合器所提供的电压和高峰值输出电流可用于直接驱动 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可以通过在光电耦合器输出端搭建分列的放大电路来实现。ACNT-H313 采用 14.2 毫米的延展型 SO8 封装。该装置提供宽爬电距离和电气间隙以及高压电源应用所需的增强型绝缘电压。此类应用包括 690 伏交流驱动器、可再生能源逆变器、牵引驱 ·2.5 安最大峰值输出电流\n·2.0 安最小峰值输出电流\n·500 纳秒最高传播延迟\n·350 纳秒最高传播延迟差\n·VCM = 2000 伏时，共模抑制 (CMR) 能力最低为 40 千伏/微秒。\n·ICC = 5.0 毫安最大供电电流\n·有滞后特性的欠压锁定保护 (UVLO)\n·宽工作电压范围：15 到 30 伏\n·工业温度范围：-40°C 到 +105°C\n·安全认证\n- UL 认可： 7500 VRMS/每分钟\n- 经过 CSA 认证\n- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 2262 VPEAK·可选方案：\n- 500 = 卷带式;

逻辑输出光电耦合器 14.2mm Gate Drive Optocoupler

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor . . . designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 1.0 Watt Power Gain = 15 dB Min Efficienc

Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise, VHF Mixer and VHF/RF Amp

Description: The NTE 313 is a silicon NPN transistor specifically designed for VHF mixer and VHF/RF amplifier applications. This device features high power gain, low noise, and excellent forward AGC characteristics.

PIN Photodiode

PIN Photodiode For optical control systems Features • Fast response which is well suited to high speed modulated light detection : tr, tf = 50 ns (typ.) • High sensitivity, high reliability • Peak sensitivity wavelength matched with infrared light emitting diodes : λP = 960 nm (typ.) • Wide

Reference Diode

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