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ACE2301B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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ACE

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description The ACE2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor are produced using high cell density, DMOS trench technology.     Features • VDS=-20V • RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A=100mΩ • RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A=150mΩ • Advanced trench process technology •

ACE

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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ACE

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

Reflective Photosensor

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PANASONIC

松下

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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TI

德州仪器

ACE2301B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ACE2301B

  • 制造商

    ACE

  • 制造商全称

    ACE Technology Co., LTD.

  • 功能描述

    P-Channel Enhancement Mode MOSFET

更新时间:2026-5-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOIC-8
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