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A3G26D055N

Airfast RF Power GaN Transistor

ETC

知名厂家

A3G26D055N

100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

ETC

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封装/外壳:6-LDFN 裸露焊盘 包装:散装 描述:RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

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封装/外壳:6-LDFN 裸露焊盘 包装:散装 描述:RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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Airfast RF Power GaN Transistor

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更新时间:2025-12-29 23:01:00
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明嘉莱只做原装正品现货
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郑重承诺只做原装进口现货
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专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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