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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
NTE2102	Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha	NTE	NTE
NJM2102	SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
NJM2102D	SYSTEM RESET IC 文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages	NJRC 日本无线	NJRC
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A1-ILBT06
A1-ILBT06
2023-2-7
A180WA原装现货
A180WA原装正品
2021-7-27
A1693LKTN-RSNOBH-T抗振型霍尔效应变速箱速度和方向传感器
具有 3 线制接口的 Allegro 符合汽车标准的磁传感器非常适合在旋转的变速箱系统中使用
2019-11-25
A2106V
A2106V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-3
A2106V-11
A2106V-11，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-3
A2916-双路全桥PWM电机驱动器
UDN2916B，UDN2916EB，并UDN2916LB电机驱动器设计用于驱动一个双极步进电机绕组或双向控制两个直流电机。这两种桥有能力维持45 V和包括内部脉冲宽度调制（PWM）控制输出电流为750毫安。输出都得到了优化低输出饱和压降（小于1.8伏总源，加上在500毫安接收器）。PWM电流控制，最大输出电流为确定用户的选择参考电压和感应电阻。选择两个逻辑电平输入输出电流限制为0，33，67，或100％的最高水平。每座桥的A相输入决定负载电流方向。桥梁包括接地夹和反激式二极管对感应瞬变保护。内部产生的延误防止交叉电流开关电流方向时。特别上电顺序不是必需的。热保护电路禁用的产出，如果芯片温度超
2012-12-7