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90N55F4

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A, TO-220 STripFET DeepGATE Power MOSFET

文件:526.47 Kbytes Page:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A, TO-220 STripFET DeepGATE Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
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专注配单,只做原装进口现货
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