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N-channel30V,0.0038廓typ.,24ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinPowerFLAT??5x6package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-16 17:08:01
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