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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
86262 | 包装：散装 描述：B302-5X3.5-WG-O-5/PK-DANGER NEVE 标签，标志，护栏，标识 标签，贴纸，贴标 - 预印 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
86262 | 包装：散装 描述：B302-5X3.5-WG-O-5/PK-DANGER NEVE 标签，标志，护栏，标识 标签，贴纸，贴标 - 预印 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH General Description This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH technology. This very high density process is especially tailored to minimize on−state resistance and optimized for superior switching performance. Features • Max rDS(on) = 307 m at VGS = −10 V, ID = | ONSEMI 安森美半导体 | |
86262产品属性
- 类型
描述
- 型号
86262
- 制造商
Brady Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
24+ |
34665 |
原厂现货渠道 |
||||
TE |
新 |
179 |
全新原装 货期两周 |
||||
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
|||||
AMPHENOL |
25+ |
连接器 |
93 |
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86262规格书下载地址
86262参数引脚图相关
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- 8位移位寄存器
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2019-11-6
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