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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 32mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

Excellent switching performance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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