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N-channel 300 V, 0.037 廓, 60 A, TO-247 low gate charge STripFET??Power MOSFET

Description This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters Features ■ Exceptional dv

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-13 15:04:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
NA
25630
原装正品
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