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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
74VHC03MTR

QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

74VHC03MTR

封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC GATE NAND OD 4CH 2-INP 14SO 集成电路(IC) 门和反相器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN

STMICROELECTRONICS

意法半导体

QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN

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意法半导体

QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74VHC03 is an advanced high-speed CMOS QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 2 µA (MAX.) at TA=25°C ■ HIGH NOISE IMMUN

STMICROELECTRONICS

意法半导体

QUAD 2 -INPUT NAND GATE(OPER DRAIN)

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TOSHIBA

东芝

QUAD 2 -INPUT NAND GATE(OPER DRAIN)

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TOSHIBA

东芝

74VHC03MTR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    74VHC03MTR

  • 功能描述

    逻辑门 Quad 2-Input NOR

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    OR

  • 逻辑系列

    LVC

  • 栅极数量

    2

  • 线路数量(输入/输出)

    2/1

  • 高电平输出电流

    - 16 mA

  • 低电平输出电流

    16 mA

  • 传播延迟时间

    3.8 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    1.65 V

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DCU-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-5-19 22:59:00
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