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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
74V1G03CTR

SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

文件:112.14 Kbytes Page:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N

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SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N

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意法半导体

SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N

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74V1G03CTR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    74V1G03CTR

  • 功能描述

    逻辑门 Single 2-Input NAND

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    OR

  • 逻辑系列

    LVC

  • 栅极数量

    2

  • 线路数量(输入/输出)

    2/1

  • 高电平输出电流

    - 16 mA

  • 低电平输出电流

    16 mA

  • 传播延迟时间

    3.8 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    1.65 V

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DCU-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-3-18 14:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2023+
SOT-353
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
ST
25+
SOT23-5
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ST
09+
SOT23-5
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
24+
SOT153
598000
原装现货假一赔十
ST/意法
2223+
SOT-353
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
24+
5000
公司存货
STMicroelect
26+
SC-70-5SOT
8795
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
26+
MLF-6
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
ST/意法
2450+
SOT23
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
ST/原装
22+
SOT-353
20000
公司只有原装 品质保证

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