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74V1G03CTR	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：112.14 Kbytes Page：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：112.14 Kbytes Page：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03C	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03S	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更新时间：2025-11-20 13:30:00

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74VCX162244MTDX
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74LVX161284MTD原装正品，公司现货
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2019-12-15