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71V124SA10PHGI8

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 10/12/15ns – Industrial: 10/12/15ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible

RENESAS

瑞萨

71V124SA10PHGI8

封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 包装:管件 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

71V124SA10PHGI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71V124SA10PHGI8

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-22 23:00:00
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