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N-channel 100 V, 0.22 廓, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET??Power MOSFET

Description This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced highefficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for telecom a

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 18:57:01
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