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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
6EDM2003L06

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06-F06

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06-F10

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06-F15

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06-F20

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06-F30

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product

1.1 Features  Thin-film-SOI-technology  Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology  Maximum blocking voltage +600V  Power supply of the high side drivers via boot strap  Integrated bootstrap functionality  Separate control circ

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06F06X1SA1

包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR BARE DIE 集成电路（IC） 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

6EDM2003L06供应商更多...

更新时间：2025-8-6 16:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
6EDM2003L06F06X1SA1
Infineon Technologies
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6EDM2003L06F30X1SA1
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深圳市创新迹电子有限公司
6EDM2003L06-F06(SP001781622)
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6EDM2003L06F30X1SA1
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天津市博通航睿技术有限公司
6EDM2003L06F30X1SA1
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