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65N3LLH5

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=65A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 30 V, 0.0061, 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-31 23:01:00
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