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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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5N20 | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：2.60721 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 5N20A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l DC Motor Control and Class D Amplifier l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Automotive | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：172.46 Kbytes Page：2 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：1.69754 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package 文件：1.95544 Mbytes Page：11 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | |
5N20产品属性
- 类型
描述
- 型号
5N20
- 功能描述
Analog IC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
MSOP8 |
120000 |
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国产 |
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TO-252 |
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ST |
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2020-8-195M80ZT100C5N 中文资料规格参数 5M80ZT100C5N批号:20+,封装:QFP
5M80ZT100C5N 中文资料规格参数
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联系人：陈先生 电话：18018738768（微信同号） QQ：1005525513 HR60H50S HR60H50SE HR60H51S HR60H52S HR60H57S HR610501E HR610604A HR61060A HR61060C HR61060CE HR61060D HR61060E HR610801 HR610803 HR610804 HR610805 HR610808 HR610809 HR610810E HR610820 HR610821 HR610824 HR610825 HR
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