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位置：首页 > IC中文资料 > 5N10

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
5N10

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TWTLsemi

AP5N10MI-L

丝印代码：5N10M-L；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =5A - RDS(ON)

APME

永源微电子

IAUC60N10S5L110

丝印代码：5N10L110；OptiMOS™-5 Power Transistor

Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel - Enhancement mode - Logic Level • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175 °C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

IAUMN10S5N016G

丝印代码：5N10N016；Automotive MOSFET OptiMOS™ 5 Power-Transistor

Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL2 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100% Avalan

INFINEON

英飞凌

IAUMN10S5N017G

丝印代码：5N10N017；Automotive MOSFET OptiMOS™ 5 Power-Transistor

Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL2 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100% Avalan

INFINEON

英飞凌

IAUT150N10S5N035

丝印代码：5N10035；OptiMOS™-5 Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • AEC qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • Ultra low Rds(on) • 100% Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

IAUT300N10S5N014

丝印代码：5N10014；OptiMOS™-5 Power-Transistor

Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) •

INFINEON

英飞凌

IAUA170N10S5N031

丝印代码：5N10031；OptiMOS??power MOSFET for automotive applications

文件：761.25 Kbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUA180N10S5N029

丝印代码：5N10029；Automotive MOSFET

文件：2.22359 Mbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUA210N10S5N024

丝印代码：5N10024；Automotive MOSFET

文件：2.22169 Mbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUC100N10S5L040

丝印代码：5N10L040；OptiMOSTM-5 Power-Transistor

文件：569.29 Kbytes Page：9 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUC100N10S5L054

丝印代码：5N10L054；OptiMOS??5 Power Transistor

文件：1.27964 Mbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUC24N10S5L300

丝印代码：5N10L300；OptiMOSTM-5 Power-Transistor

文件：789.56 Kbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUC26N10S5L245

丝印代码：5N10L245；OptiMOS??5 Power Transistor

文件：1.28643 Mbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUC90N10S5N062

丝印代码：5N10N062；OptiMOSTM-5 Power-Transistor

文件：785.27 Kbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUS260N10S5N019T

丝印代码：5N10019；OptiMOS??5 Power-Transistor

文件：1.027119 Mbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUS300N10S5N015T

丝印代码：5N10015；OptiMOS??5 Power-Transistor

文件：1.02472 Mbytes Page：10 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUT150N10S5N035

丝印代码：5N10035；OptiMOS??5 Power-Transistor

文件：223.38 Kbytes Page：9 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUT260N10S5N019

丝印代码：5N10019；OptiMOS??5 Power-Transistor

文件：224.2 Kbytes Page：9 Pages

INFINEON

英飞凌

IAUT300N10S5N015

丝印代码：5N10015；OptiMOS??5 Power-Transistor

文件：221.58 Kbytes Page：9 Pages

INFINEON

英飞凌

STP5N105K5

丝印代码：5N105K5；N-channel 1050 V, 2.9 廓 typ., 3 A MDmesh??K5 Power MOSFET in a TO-220 package

文件：639.67 Kbytes Page：14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

5N10029

Automotive MOSFET

文件：2.22359 Mbytes Page：12 Pages

INFINEON

英飞凌

5N100-FCQ

Planar Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

5N10PL

中低压MOSFET

PINGWEI

EMBA5N10A

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

MTD5N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, p

ISC

无锡固电

MTBA5N10FP

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：356.12 Kbytes Page：10 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

MTBA5N10FP-K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：356.12 Kbytes Page：10 Pages

CYSTEKEC

全宇昕科技

PJW5N10

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：405.63 Kbytes Page：8 Pages

PANJIT

強茂

5N10产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V)：

    ±30

  • ID(A)：

    5

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：

    5400

  • CISSTYP.(pF)：

    726

  • COSSTYP.(pF)：

    62

  • CRSSTYP.(pF)：

    1.8

  • QgTYP.(nC)：

    12

  • QgsTYP.(nC)：

    6

  • QgdTYP.(nC)：

    0.6

  • VGS(th)(V)MIN.：

    3

  • VGS(th)(V)MAX.：

    5

  • TrrTYP.(nS)：

    510

  • QrrTYP.(nC)：

    9100

  • Package：

    TO-252_TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-220F2

5N10供应商更多...

更新时间：2026-5-22 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
5N10
IR
2026+
TO220
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
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深圳市润联芯城科技有限公司
5N10
CCSEMI/芯能圆
23+
SC-59
50000
原装正品 支持实单
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深圳市盈慧通电子有限公司
5N10
NK/南科
2511
SOT2389
360000
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中天科工半导体（深圳）有限公司
5N10
SYFOREVER
25+
SOT-23
20300
SYFOREVER原装特价5N10即刻询购立享优惠#长期有货
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
5n102g101
23+
N102H432 1 000nF 016 5N102G10
1000000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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深圳市科恒伟业电子有限公司
5N10
YONGYUTAI永裕泰
2450+
SOT-23-3L
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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深圳市创新迹电子有限公司
5N10
NK/南科
22+
SOT23/89
20000
只做原装
询价
富凯科技(深圳）有限公司
5N10MOS(场效应管)
CJ/长电
24+
SOT-23-3L
50000
只做原装，欢迎询价，量大价优
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深圳市一线半导体有限公司
5N10K1
TOYO
24+
DIP
188
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上海金庆电子技术有限公司
5N10
CCSEMI
20+
SC-59
9045
全新 发货1-2天
询价

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    进口代理

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  • 5M80ZE64C5N

    192 CPLD - 复杂可编程逻辑器件 , BGA-64 CPLD - 复杂可编程逻辑器件 , CoolRunner-II CPLD - 复杂可编程逻辑器件 , SMD/SMT CPLD - 复杂可编程逻辑器件 , MAX V CPLD - 复杂可编程逻辑器件 , ATF1508AS CPLD - 复杂可编程逻辑器件

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  • 5N65KL-TF1-T

    联系人：陈先生 电话：18018738768（微信同号） QQ：1005525513 HR60H50S HR60H50SE HR60H51S HR60H52S HR60H57S HR610501E HR610604A HR61060A HR61060C HR61060CE HR61060D HR61060E HR610801 HR610803 HR610804 HR610805 HR610808 HR610809 HR610810E HR610820 HR610821 HR610824 HR610825 HR

    2020-4-15

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