| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
5H11G | PowerTransistor80V,8ADualGeneralPurposePNP Designedforgeneralpurposepowerandswitchingapplications suchasregulators,convertersandpoweramplifiers.Housed inadvancedLFPAKpackage(5x6mm)withexcellentthermal conduction.Automotiveendapplicationsincludeairbagdeployment, powertraincontrolunits,andinstrumentcl | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
Military28VinFilterInputAttenuatorModule 文件：188.73 Kbytes Page：5 Pages | Vicor Vicor Corporation |  | | |
N-ChannelAdvancedPowerMOSFET 文件：370.47 Kbytes Page：9 Pages | RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconNChannelMOSType(U-MOS3)/SiliconEpitaxialSchottkyBarrierDiode 文件：228.48 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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