型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
5962-1123701VXC

16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

1FEATURES • 20-ns Read, 13.8-ns Write Through Maximum Access Time • Functionally Compatible With Commercial 512K x 32 SRAM Devices • Built-In EDAC (Error Detection and Correction) to Mitigate Soft Errors • Built-In Scrub Engine for Autonomous Correction • CMOS Compatible Input and Output

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德州仪器

5962-1123701VXC

16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

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16-Mb RADIATION-HARDENED SRAM

1FEATURES • 20-ns Read, 13.8-ns Write Through Maximum Access Time • Functionally Compatible With Commercial 512K x 32 SRAM Devices • Built-In EDAC (Error Detection and Correction) to Mitigate Soft Errors • Built-In Scrub Engine for Autonomous Correction • CMOS Compatible Input and Output

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5962-1123701VXC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    5962-1123701VXC

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 16MB Radiation- Hardened 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-23 16:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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