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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

• Channel temperature 175 degree rating • Super low on-state resistance RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 26 A) • Low Ciss: Ciss = 2100 pF TYP.

RENESAS

瑞萨

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-5-23 19:23:01
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