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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Package with Low Thermal Resistance • 100 % Rg and UIS Tested

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.72555 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.72545 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.62231 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:896.87 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3.0A

PANJIT

強茂

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@3A

PANJIT

強茂

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:380.9 Kbytes Page:8 Pages

PANJIT

強茂

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LTVB
24+
NA/
3309
原装现货,当天可交货,原型号开票
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO252
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
INFINEON
23+
TO-220
8000
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
23+
TO-220
7000
INFINEO
22+
TO263-6
20000
公司只有原装 品质保证
INFINEON
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
INFINEON
09+
TO-262
362
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
22+
TO-263
6000
十年配单,只做原装
INFINEON/英飞凌
24+
TO-262
60000

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