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Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Parallel Resonance Inverter Switching Applications ​​​​​​​ • FRD included between emitter and collector • Enhancement mode type • High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 40 A) FRD : trr = 0.7 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 3.7 V (

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Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications

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Discrete IGBTs

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更新时间:2026-3-11 20:00:01
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