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IGBT - Ultra Field Stop This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and sol | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
IGBT - Ultra Field Stop 文件：159.31 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-12-27 15:12:01
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