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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ Advanced IGBT Technology ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A ▼ Industry Standard TO-3P Package

A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-10-31 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
24+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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