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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ▼ Advanced IGBT Technology ▼ Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.15V@IC=40A ▼ Industry Standard TO-3P Package

A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2026-3-11 22:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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