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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V | RENESAS 瑞萨 |   | ||
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | |
3SK319YB产品属性
- 类型
描述
- 型号
3SK319YB
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.02A 4-Pin(3+Tab) MPAK T/R
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT343 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
RENESAS |
22+ |
SOT143 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
TOSHIBA 光耦 集成电路 |
Original 元件 |
原厂原封 |
10050 |
TOSHIBA现货原装△-更多数量咨询样品批量支持;详询 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT343 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-343SOT-323-4 |
6200 |
新进库存/原装 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-343 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
SOT143 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS |
26+ |
DIP |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
3SK319YB规格书下载地址
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- 3SK322
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- 3SK317
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- 3SK304
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