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Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross modulation characteristics • Capable low voltage operation; +B= 5V

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-7-29 15:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
18+
SOT-343
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
RENESAS/瑞萨
2447
SOT343
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS/瑞萨
2025+
SOT343
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
RENESAS
23+
SOT343
7600
专注配单,只做原装进口现货
RENESAS
23+
SOT-343
7000
Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
RENESAS
22+
SOT243
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-343
20000
原装
RENESAS
SOT-343
185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Renesas(瑞萨)
26+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

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