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Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise figure NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • High gain PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • High gain PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

Features • Low noise figure. NF = 1.0 dB typ. at f = 200 MHz • High gain PG = 27.6 dB typ. at f = 200 MHz

RENESAS

瑞萨

3SK300ZR-TL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3SK300ZR-TL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Dual Gate MOS FET UHF/VHF RF Amplifier

更新时间:2025-8-9 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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