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RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

FEATURES • Low VDD Use : (VDS = 3.5 V) • Driving Battery • Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz) • High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz) • Suitable for uses as RF amplifier in UHF TV tuner. • Automatically Mounting : Embossed Type Taping • Small Package : 4 Pins Sup

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low VDD Use : (VDS = 3.5 V) • Driving Battery • Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz) • High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz) • Suitable for uses as RF

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-5 20:00:01
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