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RFAMPLIFIERFORUHFTUNERN-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR4PINSSUPERMINIMOLD

FEATURES •LowVDDUse:(VDS=3.5V) •DrivingBattery •LowNoiseFigure:NF=1.8dBTYP.(f=900MHz) •HighPowerGain:GPS=18.0dBTYP.(f=900MHz) •SuitableforusesasRFamplifierinUHFTVtuner. •AutomaticallyMounting:EmbossedTypeTaping •SmallPackage:4PinsSup

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

RFAMPLIFIERFORUHFTUNER N-CHANNELSiDUALGATEMOSFIELD-EFFECTTRANSISTOR 4PINSSUPERMINIMOLD FEATURES •LowVDDUse:(VDS=3.5V) •DrivingBattery •LowNoiseFigure:NF=1.8dBTYP.(f=900MHz) •HighPowerGain:GPS=18.0dBTYP.(f=900MHz) •SuitableforusesasRF

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-1 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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