3N163-E价格

参考价格:¥103.7629

型号:3N163-E3 品牌:VISHAY 备注:这里有3N163-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,3N163-E批发/采购报价,3N163-E行情走势销售排行榜,3N163-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

Intersil

P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier Switch

FEATURES • Very High Input Impedance • High Gate Breakdown • Fast Switching • Low Capacitance

Calogic

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE FAST SWITCHING LOW CAPACITANCE

LINEAR

an enhancement mode P-Channel Mosfet

The 3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet The 3N163 is an enhancement mode P-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch 3N163 Features: ◾ Very high Input Impedance ◾ Low Capacitance ◾ High Gain ◾ High Gate Breakdown Voltage ◾ Low Threshold Voltage

MICROSS

(SINGLE, DUAL) MOS FET P-CHANNEL, ENHANCEMENT

MOS/FET/P-CHANNEL, ENHANCEMENT, SINGLE DUAL MOS/FET/P-CHANNEL, ENHANCEMENT

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

3N163-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3N163-E

  • 功能描述

    MOSFET 40V 5mA 375mW

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-28 22:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay
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