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N-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=100V, ID=3A  RDS(ON)

GWSEMI

唯圣电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体

N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

更新时间:2025-12-26 20:00:01
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