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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters

TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

TOSHIBA

东芝

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-13 18:15:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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SOT23-3
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