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3WSILICONZENERDIODE

FEATURES: *ZenervoltageRange3.9to200V *Highsurgecurrentrating *3Wattsdissipationinanormally1wattpackage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD

SILICONZENERDIODES

VZ:3.9-400Volts PD:3Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.9to400Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent MECHANICALDATA *Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *Lead:AxialleadsolderableperMI

SYNSEMI

SynSemi,Inc.

SYNSEMI

Ref/RegDiode,P(D)=1W

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

SILICON3WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The3EZ3.9D5thru3EZ200D5seriesofaxial-leaded3.0wattZenersprovidesvoltageregulationselectionswith5tolerancesfrom3.9to200voltsinaDO-41plasticpackagesize.OtherZenervoltagetolerancesarealsoavailablebychangingthesuffixnumbertothetolerancedesiredsu

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

3W56VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED

文件:349.595 Kbytes Page:3 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
更新时间:2024-6-22 23:00:01
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