3DG501B晶体管资料
3DG501B别名：3DG501B三极管、3DG501B晶体管、3DG501B晶体三极管
3DG501B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DG501B制作材料：Si-NPN
3DG501B性质：射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）
3DG501B封装形式：直插封装
3DG501B极限工作电压：80V
3DG501B最大电流允许值：
3DG501B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DG501B引脚数：4
3DG501B最大耗散功率：0.2W
3DG501B放大倍数：
3DG501B图片代号：D-53
3DG501Bvtest：80
3DG501Bhtest：999900
- 3DG501Batest：0
3DG501Bwtest：0.2
3DG501B代换 3DG501B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DG501B | 3DG501B |   |
更新时间：2026-5-16 20:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
2026+ |
T0-39 |
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华微 |
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CH |
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CAN3 |
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3DG501B规格书下载地址
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