3DG33晶体管资料
3DG33别名：3DG33三极管、3DG33晶体管、3DG33晶体三极管
3DG33生产厂家：中国大陆半导体企业
3DG33制作材料：Si-NPN
3DG33性质：射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）
3DG33封装形式：直插封装
3DG33极限工作电压：35V
3DG33最大电流允许值：0.03A
3DG33最大工作频率：200MHZ
3DG33引脚数：3
3DG33最大耗散功率：0.2W
3DG33放大倍数：
3DG33图片代号：C-40
3DG33vtest：35
3DG33htest：200000000
- 3DG33atest：0.03
3DG33wtest：0.2
3DG33代换 3DG33用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
丝印代码：3DG3332；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High breakdown voltage Excellent hFE linearity Large current capacity and wide ASO | DGNJDZ 南晶电子 |   | ||
丝印代码：3DG3332；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High breakdown voltage Excellent hFE linearity Large current capacity and wide ASO | DGNJDZ 南晶电子 | | ||
晶体管 | JSCJ 长晶科技 | | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：442.49 Kbytes Page：3 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
300 mA CMOS Low Drop-Out Regulator with inrush current protection circuit The TCR3DG series are CMOS general-purpose single-output voltage regulators with an on/off control input, featuring low dropout voltage, low output noise voltage and low inrush current. These voltage regulators are available in fixed output voltages between 1.0 V and 4.5 V and capable of drivi | TOSHIBA 东芝 | |
3DG33产品属性
- 类型
描述
- PCM(W)：
0.625
- IC(A)：
0.7
- VCBO(V)：
180
- VCEO(V)：
160
- VEBO(V)：
6
- hFEMin：
100
- hFEMax：
400
- hFE@VCE(V)：
5
- hFE@IC(A)：
0.1
- VCE(sat)(V)：
0.4
- VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.25
- VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.025
- Package：
TO-92
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长电 |
25+ |
TO-92 |
50000 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
|||
CJ/长电 |
25+ |
TO-92 |
50000 |
原装现货，客户工厂料 |
|||
CJ/长电 |
24+ |
TO-92 |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
3DG33规格书下载地址
3DG33参数引脚图相关
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